普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）近日向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。

这些专利涉及宜普公司独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心环节，且这些创新技术专利已成功将基于氮化镓的功率器件从一个研究项目，发展成为一个可大批量生产的替代硅产品。使用氮化镓器件的晶体管和集成电路，较使用硅基器件而言更高效，更轻巧且成本更低。

在本次所提交的起诉状中，宜普公司详述了总部位于中国广东的英诺赛科公司招募两名宜普公司员工并担任其首席技术官和销售及市场主管的相关细节。

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两人入职后不久，英诺赛科便推出了一套与宜普公司明显相同的产品，并自称其产品在关键性能指标上的表现与宜普公司产品几乎相同。近期，英诺赛科又宣称其许多产品与市场上现有产品（包括宜普公司的产品）“完全兼容"。此外，英诺赛科还策划了大胆而积极的营销活动，向宜普公司的客户推销其产品套件。

氮化镓（GaN）是下一代电源转换技术，有望在未来十年内取代硅基功率半导体。与硅基半导体相比，氮化镓是更小、更高效、更可靠，并能以更低的成本表现出更良好的性能。其应用范围从计算、汽车、太阳能、机器人、无人机、医疗电子和激光雷达到日常产品，如手机、音响设备、智能电器、电动工具、快速充电器和电动自行车。

氮化镓技术有望将全球能源效率提高15-20%，这将有助于降低能源成本、减少有害排放，并支持美国的能源安全和可持续发展目标。专家预测，在未来两到三年内，氮化镓市场将达到数十亿美元的规模，并在未来十年内达到约数百亿美元的峰值。

宜普公司联合创始人兼首席执行官Alex Lidow博士表示，“我一直坚信公平合作是全球科技市场的根基。只有通过合作，我们才能释放氮化镓技术的潜力，支持世界能源安全，并助力可持续发展目标的实现。而对知识产权的有力保护和充分尊重，是相互信任和公平合作的必要条件。”

“我相信，通过此次果断的行动，我们将找到一个公平合理的解决方案，为氮化镓这一关键新兴技术的所有参与者，提供一个公平的竞争环境，并确保氮化镓产业生态的良好运作，” Lidow博士补充道。

宜普公司向联邦法院和美国国际贸易委员会起诉英诺赛科公司专利侵权、寻求损害赔偿，并希望能够禁止英诺赛科公司将其构成侵权的氮化镓产品套件进口至美国。

截止发文，英诺赛科方面暂未对此进行回应。

资料显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司于2015年12月17日成立。是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%，跃升为全球第三，排名仅次于纳微、PI。